EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The KRA222S is a transistor manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 50V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 0.5A  
- **Maximum Power Dissipation (P_D):** 0.625W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 ~ 320 (at I_C = 100mA)  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz  
- **Package Type:** TO-92 (plastic-encapsulated)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Suitable for low-power circuits in consumer electronics, signal processing, and driver stages.  
- High current gain (h_FE) for improved signal amplification.  
- Compact TO-92 package for easy PCB mounting.  
- RoHS compliant (lead-free).  

For exact performance characteristics, refer to the official KEC datasheet.