EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The part **KRA226S** is manufactured by **KEC** (Korea Electronics Company). Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge base:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Rectifier Diode  
- **Package:** SOD-123FL  
- **Maximum Repetitive Reverse Voltage (VRRM):** 200V  
- **Average Forward Current (IF(AV)):** 2A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 50A  
- **Forward Voltage (VF):** 1.1V (at 2A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 5μA (at 200V)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **KRA226S** is a high-efficiency rectifier diode designed for general-purpose applications.  
- It is suitable for switching power supplies, inverters, and freewheeling diodes.  
- The **SOD-123FL** package ensures compact size and good thermal performance.  

### **Features:**  
- **Low Forward Voltage Drop** for improved efficiency.  
- **High Surge Current Capability** for reliable operation under transient conditions.  
- **Fast Recovery Time** for switching applications.  
- **RoHS Compliant**, ensuring environmental safety.  

This information is based solely on the provided knowledge base. Let me know if you need further details.