EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) Here is the factual information about part **KRA309** from the manufacturer **KEC**:

### **Specifications:**
- **Type:** Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCBO):** 30V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 25V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 500mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 625mW  
- **Junction Temperature (TJ):** 150°C  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-320 (at VCE=6V, IC=1mA)  

### **Descriptions and Features:**
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain bandwidth product.  
- Low saturation voltage.  
- Epitaxial planar construction ensures reliability.  
- Suitable for use in audio amplifiers, signal processing, and driver stages.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. Let me know if you need further details.