EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The KRA310 is a transistor manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 40V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 500mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 625mW  
- **Junction Temperature (T_j):** 150°C  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 ~ 320 (at I_C = 100mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz (min)  

### **Descriptions:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Suitable for low-power, high-frequency circuits.  
- Encased in a TO-92 package, making it compact and easy to use in various electronic circuits.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE).  
- Low saturation voltage.  
- Fast switching speed.  
- Reliable performance in amplification and switching applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.