EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR The KRA321E is a component manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** KEC (Korea Electronics Company)  
- **Part Number:** KRA321E  
- **Type:** Transistor (likely a bipolar junction transistor (BJT) or similar)  
- **Package:** TO-92 (common through-hole package)  
- **Polarity:** NPN (if a BJT)  
- **Voltage Ratings:**  
  - Collector-Base Voltage (V_CB): Typically around 50V  
  - Collector-Emitter Voltage (V_CE): Typically around 50V  
  - Emitter-Base Voltage (V_EB): Typically around 5V  
- **Current Ratings:**  
  - Collector Current (I_C): Typically around 100mA  
  - Base Current (I_B): Typically around 5mA  
- **Power Dissipation (P_D):** Typically around 300mW  
- **Gain (h_FE):** Typically ranges between 100-300 (depending on operating conditions)  

### **Descriptions and Features:**
- The KRA321E is a general-purpose small-signal transistor used in amplification and switching applications.  
- It is housed in a TO-92 package, making it suitable for through-hole PCB mounting.  
- The device is designed for low-power applications with moderate voltage and current handling capabilities.  
- It is commonly used in audio amplifiers, signal processing circuits, and driver stages.  

For exact parameters, always refer to the official KEC datasheet.