EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The KRA555E is a PNP transistor manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -1.5A  
- **Power Dissipation (PD):** 1W  
- **DC Current Gain (hFE):** 60–320 (depending on operating conditions)  
- **Transition Frequency (fT):** 50MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The KRA555E is a general-purpose PNP transistor designed for amplification and switching applications.  
- It comes in a TO-92 package, making it suitable for through-hole PCB mounting.  

### **Features:**  
- High current capability (up to 1.5A)  
- Low saturation voltage  
- Suitable for low-power switching and amplification circuits  
- Reliable performance in a wide temperature range  

For exact performance characteristics, refer to the official KEC datasheet.