EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The part **KRA755E** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Corporation)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Transistor  
- **Application:** General-purpose amplification and switching  
- **Package:** TO-92 (plastic-encapsulated)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Voltage Ratings:**  
  - Collector-Base Voltage (VCBO): 50V  
  - Collector-Emitter Voltage (VCEO): 45V  
  - Emitter-Base Voltage (VEBO): 5V  
- **Current Ratings:**  
  - Collector Current (IC): 500mA  
  - Base Current (IB): 50mA  
- **Power Dissipation (PD):** 625mW  
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz (typical)  
- **Gain (hFE):** 100–300 (at IC = 100mA)  
- **Low Saturation Voltage**  
- **High Current Gain Bandwidth Product**  

This transistor is commonly used in low-power amplification and switching applications.