EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR The part **KRC101-M** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Corporation)**.  
### **Specifications:**  
- **Type:** Rectifier Diode  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 1A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30A  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 100V  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 1.1V (at 1A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 5µA (at rated voltage)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** DO-41  
### **Descriptions and Features:**  
- **High reliability** for general-purpose rectification.  
- **Fast switching** characteristics.  
- **Low forward voltage drop** for efficient power conversion.  
- **Plastic passivated junction** for improved performance.  
- **Widely used** in power supplies, converters, and other electronic circuits.  
This information is based on the available specifications from KEC.