EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The part **KRC104S** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Corporation)**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Polarity:** NPN  
- **Application:** High-frequency amplification, switching  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 50V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 100mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 300mW  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for **high-frequency applications** such as RF amplification and switching circuits.  
- **Low noise** and **high gain** characteristics.  
- **Epitaxial planar construction** ensures stable performance.  
- Suitable for **VHF/UHF** applications.  
- **Compact TO-92 package** for easy PCB mounting.  

These details are based solely on the manufacturer's provided specifications.