EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The part **KRC105S** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Corporation)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification, switching  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 100mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 300mW  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **KRC105S** is a general-purpose NPN transistor designed for high-frequency applications.  
- It is housed in a **TO-92** package, making it suitable for compact circuit designs.  
- Suitable for amplification and switching in electronic circuits.  

### **Features:**  
- **High transition frequency (fT)** for RF applications.  
- **Low noise** performance.  
- **Reliable switching characteristics.**  
- **Compact and widely used package (TO-92).**  

For exact performance characteristics, refer to the official **KEC datasheet** for the **KRC105S**.