EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The part **KRC107-M** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Company)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** Rectifier Diode  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 1A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30A  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 1000V  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 1.1V (at 1A)  
- **Reverse Recovery Time (trr):** 500ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** DO-41  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose rectification applications.  
- High reverse voltage capability (up to 1000V).  
- Low forward voltage drop for efficient power conversion.  
- Fast reverse recovery time for improved switching performance.  
- Reliable and durable construction for industrial and consumer electronics.  

For exact datasheet details, refer to the official KEC documentation.