EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The part **KRC109M** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Company)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** Transistor  
- **Category:** Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 50V  
- **Maximum Collector Current (Ic):** 150mA  
- **Maximum Power Dissipation (Pd):** 300mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-300  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High current gain (hFE)** for amplification applications.  
- **Low saturation voltage**, making it suitable for switching applications.  
- **Compact SOT-23 package**, ideal for space-constrained PCB designs.  
- **High transition frequency (fT)**, enabling use in RF and high-frequency circuits.  
- **Reliable performance** in general-purpose amplification and switching circuits.  

This transistor is commonly used in **audio amplifiers, signal processing, and low-power switching circuits**.  

Would you like additional details on any specific parameter?