EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR The part **KRC109S** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Company)**. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification, RF applications  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 20V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 3V  
- **Collector Current (IC):** 50mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 300mW  
- **Transition Frequency (fT):** 600MHz (minimum)  
- **Noise Figure (NF):** 3dB (typical at 100MHz)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **KRC109S** is a high-frequency, low-noise NPN transistor designed for RF amplification in VHF and UHF applications.  
- It features a small-signal amplification capability with excellent high-frequency performance.  
- The transistor is housed in a **TO-92** package, making it suitable for compact circuit designs.  

### **Features:**  
- **Low noise figure** for improved signal clarity in RF circuits.  
- **High transition frequency (fT)** for stable high-frequency operation.  
- **Reliable performance** across a wide temperature range.  
- **Epitaxial planar construction** ensures consistent electrical characteristics.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.