EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) Here is the factual information about part KRC110M from manufacturer KEC:  

### **Manufacturer:** KEC (Korea Electronics Company)  

### **Specifications:**  
- **Type:** Schottky Barrier Diode  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 1A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30A  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 100V  
- **Forward Voltage (VF):** 0.55V (at 1A)  
- **Reverse Current (IR):** 0.5mA (at 100V)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +125°C  
- **Package:** SOD-123  

### **Descriptions:**  
- The KRC110M is a Schottky barrier diode designed for high-efficiency rectification applications.  
- It features low forward voltage drop and fast switching characteristics.  

### **Features:**  
- **Low Power Loss:** Due to low forward voltage.  
- **High Surge Current Capability:** Suitable for transient protection.  
- **Fast Switching Speed:** Ideal for high-frequency applications.  
- **Compact Package (SOD-123):** Space-saving design for PCB applications.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.