EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The part **KRC110S** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Company)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** Schottky Barrier Diode  
- **Package:** SOD-123FL  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 100V  
- **Average Forward Current (IF):** 1A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30A  
- **Forward Voltage (VF):** 0.85V (at 1A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.5mA (at 100V)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Efficiency:** Low forward voltage drop for reduced power loss.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Reliable Performance:** Robust construction for stable operation.  
- **Compact Design:** SOD-123FL package for space-saving PCB mounting.  
- **Applications:** Used in power supplies, DC-DC converters, and reverse polarity protection circuits.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to KEC's official documentation.