EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The part **KRC111M** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Company)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** Schottky Barrier Diode  
- **Package:** SOD-123FL  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 40V  
- **Average Rectified Forward Current (IO):** 1A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30A  
- **Forward Voltage (VF):** 0.55V (at 1A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.5mA (max at VR)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low forward voltage drop** for high efficiency.  
- **High surge current capability.**  
- **Fast switching performance.**  
- **Lead-free and RoHS compliant.**  
- **Suitable for high-frequency applications.**  

For detailed datasheets, refer to the official KEC documentation.