EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The part **KRC113S** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Corporation)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor  
- **Applications:** General-purpose amplification and switching  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -500mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 625mW  
- **Junction Temperature (TJ):** 150°C  
- **Storage Temperature (TSTG):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for low-power amplification and switching applications.  
- High current gain (hFE) characteristics.  
- Epitaxial planar construction ensures reliability.  
- Suitable for use in consumer electronics, industrial circuits, and general-purpose applications.  
- Available in a **TO-92** package.  

For detailed electrical characteristics and performance curves, refer to the official **KEC datasheet** for the **KRC113S**.