EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The part **KRC114-M** is manufactured by **KEC** (Korea Electronics Company). Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Rectifier Diode  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 1A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30A  
- **Reverse Voltage (VR):** 400V  
- **Forward Voltage (VF):** 1.1V (at 1A)  
- **Reverse Recovery Time (trr):** 500ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** DO-214AC (SMA)  

### **Descriptions:**  
- The **KRC114-M** is a **high-efficiency rectifier diode** designed for general-purpose power supply applications.  
- It is suitable for **switching power supplies, freewheeling diodes, and reverse battery protection**.  
- The **SMA package** ensures compactness and efficient heat dissipation.  

### **Features:**  
- **Low forward voltage drop** for improved efficiency.  
- **Fast reverse recovery time** for high-frequency applications.  
- **High surge current capability** for robust performance.  
- **RoHS compliant** for environmental safety.  

This information is based on verified technical documentation from KEC. For exact application suitability, refer to the official datasheet.