EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The KRC120-M is a component manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Rectifier Diode  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 1.2A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30A  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 200V to 1000V (depending on variant)  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 1.1V (typical at 1.2A)  
- **Reverse Recovery Time (trr):** 500ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** DO-41  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose rectification in power supplies and converters.  
- High surge current capability.  
- Low forward voltage drop for efficient operation.  
- Epitaxial construction for improved reliability.  
- Suitable for high-frequency applications due to moderate reverse recovery time.  

For exact variant specifications, refer to the KEC datasheet.