EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR The part **KRC235S** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Company)**.  
### **Specifications:**  
- **Type:** Schottky Barrier Diode  
- **Package:** SMD (Surface Mount Device)  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 35V  
- **Average Forward Current (IF):** 2A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 50A  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 0.55V (typical at 1A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.5mA (maximum at VR)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +125°C  
### **Descriptions & Features:**  
- **High Efficiency:** Low forward voltage drop for reduced power loss.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Reliable Performance:** Robust construction for stable operation.  
- **Compact Design:** SMD package for space-saving PCB integration.  
- **Applications:** Used in power supplies, DC-DC converters, reverse polarity protection, and general rectification circuits.  
(Note: Always verify with the latest datasheet for updated specifications.)