EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The part **KRC654E** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Company)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power Transistor  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 60V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 1A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100-300  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-92  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- High current gain for improved signal amplification.  
- Compact TO-92 package for easy PCB mounting.  
- Suitable for consumer electronics, power management circuits, and industrial applications.  

For exact datasheet details, refer to the official **KEC** documentation.