EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The part KRC654U is manufactured by KEC (Korea Electronics Co., Ltd.). Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 900pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 35ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220F (Fully Insulated)  

### **Descriptions:**  
- The KRC654U is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power supply and motor control applications.  
- The fully insulated TO-220F package provides electrical isolation between the heatsink and the device.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600V V_DSS rating.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Improved dv/dt Capability:** Ensures robustness in switching environments.  
- **Fully Insulated Package:** Eliminates the need for an additional insulation pad.  

This information is based on the available technical data for the KRC654U MOSFET from KEC.