EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The part **KRC656E** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Corporation)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 20V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 4V  
- **Collector Current (IC):** 500mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 300mW  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for **high-frequency switching and amplification** in electronic circuits.  
- **Low noise and high gain** characteristics.  
- Suitable for **RF and IF amplifier stages** in communication devices.  
- **Epitaxial planar construction** ensures reliability and performance.  
- **Compact TO-92 package** for easy PCB mounting.  

This transistor is commonly used in **radio frequency (RF) applications, signal amplification, and oscillator circuits**.