EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The part **KRC657E** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Company)**.

### **Specifications:**
- **Type:** Rectifier Diode  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 6A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 150A  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 1000V  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 1.1V (typical at 6A)  
- **Reverse Recovery Time (trr):** 500ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions and Features:**
- Designed for high-efficiency rectification in power supplies and converters.  
- Low forward voltage drop for reduced power loss.  
- Fast reverse recovery time for improved switching performance.  
- Robust construction ensures reliability in demanding applications.  
- Suitable for use in inverters, motor drives, and industrial power systems.  

For detailed datasheets or further technical queries, refer to the official **KEC** documentation.