EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The part **KRC659E** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Co., Ltd.)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** Schottky Barrier Diode  
- **Package:** SOD-123FL  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 60V  
- **Average Forward Current (IF):** 6A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 150A  
- **Forward Voltage (VF):** 0.55V (at 3A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.5mA (at VR = 60V)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **KRC659E** is a high-efficiency Schottky diode designed for low forward voltage drop and fast switching applications.  
- It is commonly used in power supplies, DC-DC converters, and reverse polarity protection circuits.  

### **Features:**  
- **Low Forward Voltage Drop** for reduced power loss.  
- **High Surge Current Capability** for reliable performance.  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official KEC documentation.