EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The part **KRC837E** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Company)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification, switching  
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 30V  
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 60V  
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 5V  
- **Collector Current (Ic):** 500mA  
- **Power Dissipation (Pd):** 625mW  
- **Transition Frequency (ft):** 200MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-speed switching and amplification in electronic circuits.  
- Low saturation voltage for efficient performance.  
- Suitable for use in RF and general-purpose applications.  
- Encased in a TO-92 package for easy mounting.  

For exact datasheet details, refer to the official KEC documentation.