EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The part **KRC854U** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Company)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification, RF applications  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 20V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 3V  
- **Collector Current (IC):** 50mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 150mW  
- **Transition Frequency (fT):** 600MHz (min)  
- **Noise Figure (NF):** 3dB (typical at 100MHz)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **KRC854U** is a high-frequency, low-noise NPN transistor designed for RF amplification in VHF/UHF applications.  
- It features low distortion and high gain, making it suitable for communication devices and signal processing circuits.  

### **Features:**  
- **High Transition Frequency (fT):** Ensures good performance in high-frequency circuits.  
- **Low Noise Figure:** Ideal for sensitive RF amplification.  
- **Epitaxial Planar Structure:** Provides stable and reliable operation.  
- **Compact Package:** Typically available in **TO-92** or similar small packages for easy integration.  

This information is based on standard KEC datasheet details for the **KRC854U** transistor. For exact performance characteristics, refer to the official datasheet.