EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The part **KRC855E** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Corporation)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification, RF applications  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 20V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 3V  
- **Collector Current (IC):** 50mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 300mW  
- **Transition Frequency (fT):** 1.5GHz (min)  
- **Gain Bandwidth Product:** High-frequency performance  
- **Package:** SOT-23 (Small Outline Transistor)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **RF and high-frequency applications**  
- **Low noise** and **high gain** characteristics  
- Suitable for **VHF/UHF amplifier circuits**  
- Compact **SOT-23 package** for space-constrained designs  
- Epitaxial planar construction ensures reliability  

This information is based on the available specifications from KEC's documentation.