EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The KRC855U is a PNP transistor manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Here are its specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -5A  
- **Power Dissipation (PD):** 40W  
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (depending on conditions)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**  
- The KRC855U is a high-power PNP transistor designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Suitable for power management, motor control, and audio amplification circuits.  

### **Features:**  
- High current capability (up to 5A)  
- Low saturation voltage for efficient switching  
- High power dissipation (40W)  
- TO-220 package for easy mounting and heat dissipation  

For exact performance characteristics, refer to the official datasheet from KEC.