EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The part **KRC856U** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Company)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification, RF applications  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 30V  
- **Collector Current (I_C):** 700mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **Transition Frequency (f_T):** 600MHz  
- **Gain (h_FE):** 40~200  
- **Package:** TO-92  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-frequency amplification** in RF circuits.  
- Suitable for **VHF/UHF applications**.  
- **Low noise** characteristics.  
- **High current gain** for improved signal amplification.  
- **Epitaxial planar construction** ensures reliability and performance.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.