EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The part **KRC857E** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Company)**.

### **Specifications:**
- **Type:** NPN Epitaxial Silicon Transistor  
- **Application:** General-purpose amplification and switching  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 50V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 500mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 120 ~ 400  
- **Transition Frequency (f_T):** 200MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for low-noise, high-gain applications  
- Suitable for audio amplification and signal processing  
- Low saturation voltage for efficient switching  
- Encapsulated in a TO-92 package for easy mounting  
- RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official KEC documentation.