EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The KRC857U is a PNP transistor manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Here are the specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -45V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -500mA  
- **Power Dissipation (PD):** 625mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 120 ~ 400 (at IC = -10mA, VCE = -5V)  
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The KRC857U is a general-purpose PNP transistor designed for amplification and switching applications.  
- It is housed in a TO-92 package, making it suitable for compact circuit designs.  
- It is commonly used in low-power amplification, signal processing, and switching circuits.  

### **Features:**  
- High DC current gain (hFE) for improved amplification.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- Suitable for high-speed switching applications due to its transition frequency (fT) of 150MHz.  
- Compact TO-92 package for easy PCB mounting.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.