EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The part **KRC860E** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Company)**.

### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Current (I_D):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max)  
- **Package:** TO-220F  

### **Descriptions:**
- Designed for high-voltage switching applications.  
- Suitable for power supplies, inverters, and motor control circuits.  
- Features fast switching performance and low gate charge.  

### **Features:**
- **High Voltage Capability** (600V)  
- **Low On-Resistance** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for efficient performance.  
- **Avalanche Energy Rated** for robustness in harsh conditions.  
- **TO-220F Package** for easy mounting and heat dissipation.  

This information is based solely on the provided knowledge base. Let me know if you need further details.