EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The KRX102E is a power transistor manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are the factual specifications, descriptions, and features from the available knowledge base:

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 50V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 1A  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 1W  
- **Junction Temperature (T_j):** 150°C  
- **Storage Temperature (T_stg):** -55°C to +150°C  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40 ~ 320 (at I_C = 0.5A, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz  

### **Descriptions:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Suitable for low-power applications in consumer electronics, industrial control, and automotive circuits.  
- Encapsulated in a TO-92 package for easy mounting on PCBs.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE) range.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- Epitaxial planar construction for improved performance.  
- RoHS compliant.  

For exact application details, refer to the official KEC datasheet.