EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The KRX102U is a P-Channel MOSFET manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (Ta=25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 85mΩ (V_GS=-10V, I_D=-4.3A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  
- **Operating Temperature Range (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The KRX102U is designed for power management applications, including switching and amplification in low-voltage circuits.  
- It is housed in a TO-252 (DPAK) package, which provides efficient thermal performance.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for improved efficiency in power applications.  
- High reliability and ruggedness for industrial and consumer electronics.  
- RoHS compliant.  

For exact application details, refer to the official KEC datasheet.