EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The KRX204E is a P-Channel MOSFET manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are the factual specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Drain Current (I_D):** -4.2A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.5W  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 0.085Ω (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.4V to -1.5V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The KRX204E is designed for low-voltage, high-efficiency switching applications.  
- It is suitable for power management in portable devices, battery protection circuits, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal power loss.  
- **Fast Switching Speed:** Improves efficiency in switching applications.  
- **Compact Package:** Available in SOT-23 or similar small form factor for space-constrained designs.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

For exact details, refer to the official KEC datasheet.