EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The KRX205E is a component manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification, RF applications  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 15V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 3V  
- **Collector Current (IC):** 50mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 300mW  
- **Transition Frequency (fT):** 800MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The KRX205E is designed for high-frequency and low-noise amplification.  
- It is housed in a TO-92 package, making it suitable for compact circuit designs.  

### **Features:**  
- High transition frequency (fT) for RF applications.  
- Low noise performance.  
- Epitaxial planar structure for improved reliability.  

For exact datasheet details, refer to KEC's official documentation.