EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The KRX205U is a P-Channel MOSFET manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -18A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W (Ta=25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 50mΩ (V_GS=-4.5V), 70mΩ (V_GS=-2.5V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.4V to -1.5V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- The KRX205U is designed for low-voltage, high-efficiency power switching applications.  
- It is commonly used in power management circuits, DC-DC converters, and load switching.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal power loss and high efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Compact Package (TO-252):** Provides good thermal performance and space-saving benefits.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

For exact performance characteristics, always refer to the official KEC datasheet.