PNP Epitaxial Silicon Transistor The KSH45H11 is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 450V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45Ω (typical)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 4V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
The KSH45H11 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching capabilities, making it suitable for high-efficiency power supplies, motor control, and other industrial applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 450V V_DSS rating  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Fast Switching Speed:** Improves efficiency in high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load conditions  
- **TO-247 Package:** Provides good thermal performance  

This information is sourced from Fairchild Semiconductor's datasheet for the KSH45H11 MOSFET.