PNP Epitaxial Silicon Transistor The KSH45H11ITU is a high-voltage NPN power transistor manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Transistor Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 450V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 500V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 7V  
- **Collector Current (I_C):** 8A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 80W (at 25°C case temperature)  
- **DC Current Gain (h_FE):** 15 to 60 (at I_C = 4A, V_CE = 5V)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-220 (isolated tab)  

### **Descriptions:**
- Designed for high-voltage switching and amplification applications.  
- Suitable for power supplies, inverters, motor control, and general-purpose high-voltage circuits.  
- Features a rugged construction for reliable performance in demanding environments.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 450V V_CEO.  
- **High Current Handling:** 8A continuous collector current.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for switching applications.  
- **Isolated Package:** TO-220 package with an isolated tab for easier thermal management.  
- **Low Saturation Voltage:** Ensures efficient power handling.  

This information is based on Fairchild's datasheet for the KSH45H11ITU transistor. For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official documentation.