PNP Epitaxial Silicon Transistor The KSH45H11ITU is a high-voltage NPN power transistor manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Transistor Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 450V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 500V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 7V  
- **Collector Current (I_C):** 8A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 80W (at 25°C case temperature)  
- **DC Current Gain (h_FE):** 15 to 60 (at I_C = 4A, V_CE = 5V)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-220 (isolated tab)  

### **Descriptions:**
- Designed for high-voltage switching and amplification applications.  
- Suitable for power supplies, inverters, motor control, and general-purpose high-voltage circuits.  
- Features a rugged construction for reliable performance in demanding environments.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 450V V_CEO.  
- **High Current Handling:** 8A continuous collector current.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for switching applications.  
- **Isolated Package:** TO-220 package with an isolated tab for easier thermal management.  
- **Low Saturation Voltage:** Ensures efficient power handling.  

This information is based on Fairchild's datasheet for the KSH45H11ITU transistor. For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official documentation.

PNP Epitaxial Silicon Transistor