NPN Epitaxial Silicon Transistor The part **KSP10** is manufactured by **FAIRCHILD**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 500mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 (minimum)  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **KSP10** is a general-purpose NPN transistor designed for amplification and switching applications. It is suitable for low-power circuits and offers good linearity and high-speed performance.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE)  
- Low saturation voltage  
- Fast switching speed  
- Epitaxial planar construction for improved performance  
- Suitable for small-signal amplification and driver stages  

For exact datasheet details, refer to the official **FAIRCHILD** documentation.

NPN Epitaxial Silicon Transistor