NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor The part **KSP12BU** is manufactured by **FSC (Fairchild Semiconductor Corporation)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** TO-92  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 40V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 500mA  
- **Power Dissipation (PD):** 625mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-400 (varies with operating conditions)  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain (hFE) for improved signal amplification.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- Suitable for low-power applications in consumer electronics, industrial controls, and signal processing.  
- TO-92 package provides ease of use in prototyping and PCB mounting.  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the KSP12BU transistor.

NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor