NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor The KSP13 is a PNP epitaxial planar transistor designed for general-purpose amplifier applications.  

### **Manufacturer Specifications:**  
- **Type:** PNP Silicon Transistor  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** -30V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -25V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** -500mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 625mW  
- **Junction Temperature (T_j):** 150°C  
- **Storage Temperature Range (T_stg):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for low-frequency amplification and switching applications.  
- Epitaxial planar construction ensures stable performance.  
- Suitable for use in consumer electronics, audio amplifiers, and signal processing circuits.  
- Comes in a TO-92 package, making it compact and easy to integrate into circuits.  
- Low leakage current and good linearity in amplification.  

For exact performance characteristics, refer to the manufacturer's datasheet.

NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor