### **Specifications:**
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 40V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 75V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6V  
- **Collector Current (I_C):** 600mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 - 300 (at I_C = 10mA, V_CE = 10V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The **KSP2222** is a general-purpose NPN transistor designed for amplification and switching applications. It is a low-power, high-speed device with good current gain and saturation characteristics.

### **Features:**
- High current gain  
- Low saturation voltage  
- Fast switching speed  
- Suitable for small-signal amplification and switching circuits  
- Available in TO-92 package  

This information is based on Fairchild's specifications for the **KSP2222** transistor.