### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 40V  
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 75V  
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 6V  
- **Collector Current (Ic):** 600mA  
- **Power Dissipation (Pd):** 625mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 - 300 (at Ic = 10mA, Vce = 1V)  
- **Transition Frequency (ft):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- General-purpose NPN transistor suitable for amplification and switching applications.  
- Low noise and high gain performance.  
- Encapsulated in a TO-92 package for easy mounting.  
- Commonly used in audio amplifiers, signal processing, and driver circuits.  
- RoHS compliant.  

(Note: Always verify datasheet details for exact specifications in your application.)