NPN Epitaxial Silicon Transistor Here are the factual details about part **KSP2222ABU** from the manufacturer **FAI**:  
### **Specifications:**  
- **Part Number:** KSP2222ABU  
- **Manufacturer:** FAI  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 40V  
- **Maximum Collector Current (Ic):** 600mA  
- **Power Dissipation (Pd):** 350mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 - 300 (typically)  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz  
### **Descriptions:**  
The **KSP2222ABU** is a general-purpose NPN transistor in a compact SOT-23 package, designed for amplification and switching applications. It is a surface-mount equivalent to the through-hole 2N2222 transistor.  
### **Features:**  
- High current gain (hFE)  
- Low saturation voltage  
- Fast switching speed  
- Suitable for low-power amplification and switching circuits  
- Compact SMD package for space-constrained designs  
For exact performance characteristics, refer to the official FAI datasheet.