### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -60V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** -60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -600mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100-300 (at I_C = -10mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 200MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain bandwidth product.  
- Low saturation voltage for improved efficiency.  
- Suitable for use in driver stages, signal amplification, and switching circuits.  
- Available in TO-92 package.  

(Note: Always verify datasheet details for exact specifications.)