**Manufacturer:** FAI (Firstronic Assembly Inc.)  

**Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -60V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Continuous Collector Current (IC):** -600mA  
- **Power Dissipation (PD):** 625mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-300 (at IC = -10mA, VCE = -1V)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

**Descriptions:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Suitable for low-power circuits.  

**Features:**  
- High current gain (hFE).  
- Low saturation voltage.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

(Note: Verify exact specifications with the manufacturer's datasheet for critical applications.)