### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -50V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** -60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -600mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 60 to 300 (at I_C = -10mA, V_CE = -5V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain bandwidth product.  
- Low saturation voltage.  
- Epitaxial planar construction for improved performance.  
- Available in SOT-23 surface-mount package for compact designs.  

This transistor is commonly used in audio amplifiers, signal processing, and switching circuits.