PNP Epitaxial Silicon Transistor The KSP55 is an NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 500mA  
- **Total Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100–300 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 200MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The KSP55 is a general-purpose NPN transistor designed for amplification and switching applications. It is housed in a TO-92 package, making it suitable for low-power circuits.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE)  
- Low saturation voltage  
- Fast switching speed  
- Suitable for driver stages and signal amplification  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the KSP55 transistor.

PNP Epitaxial Silicon Transistor The part KSP55 is manufactured by FSC (Federal Supply Class).  

**Specifications:**  
- **Manufacturer:** FSC  
- **Part Number:** KSP55  

**Descriptions and Features:**  
- The KSP55 is a standardized component classified under the Federal Supply Class system.  
- It is designed to meet specific military or government procurement requirements.  
- Exact technical details (dimensions, materials, tolerances) are typically defined in associated military or government specifications.  

For precise technical data, refer to the official FSC documentation or procurement guidelines.